摻氢无定形硅薄膜晶体管的静态特性

本文导出了掺氫无定形硅(a—Si∶H)薄膜晶体管(TFT)I_D—V_D特性的一个改进公式。此公式只有三个常数,且可以从低漏电压V_D时得到的I_D—V_G实验曲线上获得。文中还从理论分析上证实了这个公式的正确性。本文导出的公式与实验测得的I_D—V_D特性曲线符合得很好。与已发表的I_D—V_D特性公式相比,本文的公式在低柵压时有很大的改进,并适用于I_D—V_D特性的饱和区。