In-Ta共掺杂SnO2的第一性原理研究

利用第一性原理计算In和Ta掺杂SnO2的晶体结构、电子能带和态密度。结果表明In、Ta的加入,令费米能级上移进入导带,带隙值减小,红外吸收能力增强;当In和Ta掺入量相同(12.5%或25%时),表现为绝缘体性质;当In的含量一定,Ta含量的增加会提高结构热稳定性,且表现为金属性质。