| a—Si:H薄膜的光吸收特性 |
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| 引用本文： | 惠恒荣,刘燕,邓世美,恽正中. a—Si:H薄膜的光吸收特性[J]. 电子科技大学学报(社会科学版), 1987, 0(3) |
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| 作者姓名： | 惠恒荣 刘燕 邓世美 恽正中 |
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| 摘 要： | 本文运用辉光放电分解硅烷的方法,制备了几种不同型号的a-Si:H薄膜,对各种薄膜的光学吸收系数进行了测试。结果表明,掺杂、退火对材料的吸收系数有提高的影响,在4000—10000A范围内,各种薄膜的光学吸收系数都比C-Si高,进一步的推导得到各种样品的光学禁带宽度在1.45eV-1.75eV之间。文章还分析说明了影响光吸收特性的因素。
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅 薄膜 光学吸收系数 禁带宽度 辉光放电 |
OPTICAL ABSORPTION CHARACTERISTICS OF a-Si:H FILMS |
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| Hui Hengrong Liu Yan Deng Shimei Yun Zhengzhong. OPTICAL ABSORPTION CHARACTERISTICS OF a-Si:H FILMS[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition), 1987, 0(3) |
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| Authors: | Hui Hengrong Liu Yan Deng Shimei Yun Zhengzhong |
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| Affiliation: | Hui Hengrong Liu Yan Deng Shimei Yun Zhengzhong |
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| Keywords: | amorphous hydrogen silicon thin films optical absorb coefficient forbidden band width glow discharge |
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