E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制 |
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作者姓名: | 朱旗 冯国进 |
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作者单位: | 电子科技大学微电子科学与工程系,电子工业部13所 四川大学原子核所电气工程系 |
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摘 要: | 本文对 E/D 型 MODFET 直接耦合倒相器进行了设计与研制。利用国产分子束外延设备制备的 Al_xGa_(1-x)As/Ga As 调制掺杂外延材料,采用常规化合物半导体工艺,获得了具有正常逻辑输出功能的 MODFET 直接耦合倒相器。这对国内开展 MODFET 数字电路的研究与开发具有实际意义。
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关 键 词: | 分子束外延 砷化镓 调制掺杂 场效应晶体管 倒相器 |
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