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E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制
引用本文:朱旗,冯国进.E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制[J].电子科技大学学报(社会科学版),1990(1).
作者姓名:朱旗  冯国进
作者单位:电子科技大学微电子科学与工程系,电子工业部13所 四川大学原子核所电气工程系
摘    要:本文对 E/D 型 MODFET 直接耦合倒相器进行了设计与研制。利用国产分子束外延设备制备的 Al_xGa_(1-x)As/Ga As 调制掺杂外延材料,采用常规化合物半导体工艺,获得了具有正常逻辑输出功能的 MODFET 直接耦合倒相器。这对国内开展 MODFET 数字电路的研究与开发具有实际意义。

关 键 词:分子束外延  砷化镓  调制掺杂  场效应晶体管  倒相器
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