| 直流磁控溅射铂电阻薄膜 |
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| 引用本文： | 周鸿仁,刘秀蓉,徐蓓娜. 直流磁控溅射铂电阻薄膜[J]. 电子科技大学学报(社会科学版), 1997, 0(6) |
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| 作者姓名： | 周鸿仁 刘秀蓉 徐蓓娜 |
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| 作者单位： | 电子科技大学信息材料工程学院 |
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| 基金项目： | 国家“七五”重点科研项目 |
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| 摘 要： | 根据薄膜理论和通过成膜工艺实验，研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。１）对铂靶材料的纯度要求高，含杂质极少；２）淀积薄膜要有一定厚度，通常近于１μｍ才能有较大的α；３）成膜以后，需经过高温热处理，减少缺陷，结晶化改善。通过大量实验，使用高铝陶瓷基片或微晶玻璃基片，溅射铂薄膜的厚度为８００ｎｍ，高温热处理１ｈ，可以获得电阻温度系数为３．８５０×１０－３／℃的铂电阻薄膜。
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| 关 键 词： | 铂薄膜；热敏电阻；磁控溅射；热处理 |
Experimental Study of Hot electron Degradation of MOS Device by Electron Radiation |
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| Chen Yong Yu Qi Yang Muhua. Experimental Study of Hot electron Degradation of MOS Device by Electron Radiation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition), 1997, 0(6) |
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| Authors: | Chen Yong Yu Qi Yang Muhua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOS field effect transistor hot electron effect radiation interface state physics of devices |
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