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| 高性能α-Si:H FET的电荷控制分析与研制 | |
| 作者姓名： | 惠恒荣 广国庆 艾亚男 |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子科学与工程系(惠恒荣，广国庆)，电子科技大学微电子科学与工程系(艾亚男) |
| 摘 要： | 为制备高输出性能的 α-Si∶H FET,本文运用电荷控制理论分析了器件的输出电流、开关比及场效应迁移率对材料和结构参数的依赖关系。根据分析结果设计并制备了沟道宽长比高达10~3的α-Si∶H MNS FET 样品,其输出电流达 mA 数量级。 |
| 关 键 词： | α—Si:HFET 电荷控制理论 沟道 输出电流 |
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