Sigmund热尖峰溅射模型的研究

对Singmund热尖峰溅射模型进行了修正.用平均能量淀积密度近似代替了Singmund热尖峰溅射模型中的表面能量淀积密度近似.并用TRIM87程序对Sb~+,Bi~+轰击银靶的能量淀积过程进行了模拟计算.将计算所得到的平均能量淀积密度代入修正后的Sig-mund热尖峰溅射模型中,所得到的起始热尖峰区尺寸与能量淀积理论相容.     

AM混合相Si:P:H薄膜的制备与分析

本文介绍了SiH_4/PH_3混合气体的高频辉光放电法,在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性,并对样品作了高温退火试验。应用x射线衍射和红外吸收,对淀积膜的结构性质作了探讨和分析。结果表明,所淀积的是一种微晶——非晶混合相掺P氢化非晶硅膜(AM-Si:P:H),这种膜具有良好的光电性能,较高的掺杂效率。经退火后,光电性能有所改善,是P-i-n太阳能电池所希望的n~ 材料。     

掺硼金刚石膜热敏电阻器的制备工艺及温度响应

介绍了一种帽状结构的掺硼金刚石膜热敏电阻器及其制备工艺。使用ＰＣＶＤ方法在Ｓｉ３Ｎ４或Ｓｉ基片上淀积掺硼金刚石膜，然后在金刚石膜上淀积Ｔｉ／Ａｕ薄膜以形成欧姆接触电极。结果获得了具有良好温度响应和欧姆接触的金刚石膜热敏电阻器。     

PECVD氮化硅膜的制备及其红外光谱分析

用等离子（增强）化学气相淀积（PECVD）法在Si基底上制备氮化硅薄膜，通过红外吸收光谱研究分析了薄膜中的成分及键结构．     

直流磁控濺射非晶硅薄膜

本文介绍利用自己改制的直流磁控溅射设备淀积非晶硅薄膜的一些结果。与普通溅射方法相比,本设备的优点是:溅射电压大大降低,而淀积速率提高很多。初步研究了所得薄膜的光学和电学性能。用透射法测量了吸收系数光谱曲线,并从(ahv)~(1/2)与hv关系图求得光学禁带宽度为1.45eV。另一方面,测量了直流电导率与温度的关系以及交流电导率与频率的关系。结果指出,在室温下该薄膜的电导主要由带尾局域态决定。     

高温超导薄膜带状线谐振器的研究

采用准分子激光淀积外延YBCO超导薄膜,成功地研制出高T_c超导薄膜带状线谐振器,在77K时测试,谐振频率为8.56 GHz,无载品质因数为8400,超导薄膜微波表面电阻为600μΩ。     

氢化非晶硅膜的制备及其钝化机理

介绍了采用辉光放电(GD)法淀积用作钝化的氢化非晶硅(a-Si:H)膜,并将其应用于硅器件的表面钝化。结果表明,采用a-Si:H钝化,器件表面态密度显著下降,特性有较大改善。此外,对a-Si:H的钝化机理作了讨论。     

减压CVD技术

本文简要地叙述减压CVD技术的基本理论,着重介绍该技术应用于半导体器件加工掺硼、磷和砷氧化物源,二氧化硅薄膜,四氯化硅—氨—氮系统淀积氮化硅薄膜以及热分解硅烷淀积多晶硅薄膜等工艺技术问题。提供了各类薄膜制作时采用的典型工艺数据(仅供参考)。对薄膜厚度的均匀性,掺杂层浓度控制与均匀性及薄膜表面状况等进行了分析讨论。由理论分析和实验结果看出,减压CVD技术制作的半导体器件中应用的各类薄膜最突出的优点是:薄膜厚度的均匀性高(可达1～3％),实现了高密度装片(生产量可达10厘米温区内可装40片)。因而,减压CVD技术在目前大规模集成电路、微波半导体器件中是一种十分值得重视的工艺技术。     

氮化物应力膜SOI SiGe异质结双极晶体管的频率特性研究

为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si_3N_4)应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si_3N_4,使其在基区引入单轴压应力,增强载流子的迁移率,来提高器件的截止频率f_T和最高振荡频率f_(max)。采用SILVA-CO软件进行仿真,重点研究不同埋氧化层厚度和氮化膜对器件频率特性的影响。结果表明:在埋氧化层厚度为190 nm,基区Ge组分为17%～30%的阶梯型分布且淀积Si_3N_4薄膜引入应力时,截止频率f_T约为638 GHz,最高振荡频率f_(max)约为795 GHz。与传统的SOI SiGe HBT相比,截止频率f_T提高了38 GHz,最高振荡频率f_(max)提高了44 GHz。     

诗歌:哈萨克族传统哲学的主要表现形式

诗歌 是哈萨克 族传统哲 学的主 要表现形 式，这 是 因为： 一、游牧 经济 决 定了 游牧 文 化发 展 的方向；以 诗歌为主 要表现 形式的文 化环境 影响了哲 学家的人 文素质 、支配了哲 学家的 理性思维 方式。另 一方面 ，是因 为哈萨克 族长期的 心理积 淀和文化 积淀所 形成     

用离子化技术制备C-BN薄膜

立方晶系的氮化硼(C-BN)具有极好的硬度、绝缘性,近年来受到国内外的注目。本文介绍在10~(-1)Pa的氮气氛中,用电子束蒸发硼,再进行离子化,制得氮化硼薄膜。经电子显微镜衍射图分析及与块状材料相比,其晶格距离极为一致,本文还分析了薄膜形成过程中基板温度、真空度等的影响。     

磁控溅射枪的设计与应用

本文论述了磁控溅射枪的基本设计原理,分析确定了枪的电、磁参量和主要结构参数,并给出了枪的性能测试曲线。     

离子束辅助沉积技术对薄膜光学特性的影响

用计算机模拟离子辅助薄膜沉积过程和工艺实验,发现离子辅助能够提高薄膜的聚集密度、附着力,改善薄膜光学特性。然而,高能离子束诱发薄膜材料相当大的吸收,导致该技术几乎无法使用。作者通过对碲化铅薄膜材料理论和工艺分析,证实了低能、高密度离子束辅助是一种极有发展前途的新技术。     

离子色谱法测定面粉及面制品中溴酸盐含量

本文利用离子色谱法测定离子色谱法测定面粉及面制品中溴酸盐的含量(BrO3-)。成功的将现代科学仪器和分析手段应用到食品分析领域,旨在探索食品分析检测的新方法。     

激光辅助冷喷涂Stellite 6多颗粒沉积的数值模拟

针对激光辅助冷喷涂过程中Stellite 6多颗粒沉积机理的问题,运用有限元分析软件ANSYS/LS-DYNA对Stellite 6多颗粒在不同工艺参数下的碰撞过程进行了数值模拟,并与实验结果进行了比较分析。研究表明：多颗粒沉积过程,后续颗粒对先前沉积颗粒具有夯实作用,相邻颗粒间的变形能够填充颗粒间的空隙;颗粒沉积过程中无金属射流现象、无新物质生成、无氧化反应;Stellite 6颗粒在45钢基体上的沉积机制为镶嵌式的机械咬合。实验结果与数值模拟相吻合。     

高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜

高分子辅助沉积法是近年来发展起来的一种薄膜沉积方法。该方法利用高分子与金属键合形成均匀稳定的溶液,将溶液涂覆在基片上后,通过热处理使高分子分解而形成薄膜。该文介绍了使用该方法制备的一些具有代表性的氧化物和氮化物薄膜,包括简单氧化物/氮化物,如TiO2、GaN和AlN等,复杂氧化物/氮化物如(Ba,Sr)TiO3、Ti1-xAlxN等。通过X射线衍射、透射电镜、介电测试和光学测试等方法对薄膜的结构和性能进行了表征和分析,并探讨了基片和工艺条件对结构和性能的影响。这些结果表明高分子辅助沉积法可以广泛应用于制备各种高质量的氧化物和氮化物薄膜。     

含一层吸收媒质滤光片的部分匹配诱导设计分析

本文从导纳匹配的观点出发,分析了诱导设计的滤光片的反射率和势透射率特性,提出分别对势透射率和反射率作最佳部分匹配的诱导设计方法,并给出匹配介质层匹配相位的解析表示式。     

添加电荷转移复合物(CTC)的铁电性液晶器件(FLCD)的特性研究

在铁电性液晶(FLC)中添加电荷转移复合物(CTC)制成液晶盒,以测定光学响应特性,其结果与以往有所不同:在附加脉冲的后沿,可观测到反向双稳态。由于这种存储器是反向的,因此可维持存储率100%的良好特性,具有较高的对比度。本文报道了关于添加CTC的FLCD的EO特性最新成果,作者还就为何在FLC中添加CTC会产生反向双稳态的原因、验证试验的结果和反向双稳态模型等,阐明了自己的见解。     

PCB离子阱质量分析器

目提出了一种利用普通印刷线路板(Printed Circuit Boards,PCB)加工构造离子阱质量分析器的新方法。用该方法制造的PCB离子阱仅由四块PCB平板电极和两块不锈钢薄片电极构成,具有结构简单、加工容易和价格低廉等优点,非常适合制造成低成本的便携式质谱仪。初步实验结果表明,应用这种方法所建造的PCB离子阱质谱仪系统,可以获得优于400的质量分辨率和300Thomson以上的质量扫描范围。