SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究

基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型,该文建立了适合SiC MESFET的非线性模型,并利用符号定义器件(SDD)实现了在安捷伦ADS软件中嵌入,最终建立了SiC MESFET工艺的模型库。该非线性模型考虑了击穿特性、色散效应和自热效应等,可进行直流、散射S参数和谐波平衡等ADS软件中的仿真器。该模型在国内SiC MESFET工艺线上的验证结果表明模型具有较好的精度。     

宽禁带功率半导体器件技术

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。     

预氧化对多孔碳化硅陶瓷抗氧化及抗热震性的影响

考察了多孔碳化硅陶瓷的抗氧化性及抗热震性,探讨了不同制造工艺对多孔碳化硅陶瓷抗氧化性及抗热震性的影响。研究了SiC陶瓷在热处理过程中SiC颗粒表面氧化形成的SiO_2在不同热处理温度的状态变化及其对试样抗热震性的影响。     

机械密封泄漏失效分析与对策

本文分析了机械密封泄漏的典型通道和泄漏失效的原因,并针对具体情况,采取相应的措施加以改进。     

液压系统运行中常见的故障排除与维修

液压系统维护最棘手的问题是故障诊断.笔者根据实践体会,在此谈谈如何检测与防范液压系统中的常见故障. 一、泄漏 泄漏分为内、外泄露两种.内泄露是指液压元件内部有少量液体从高压腔泄露到低压腔,这应通过对液压元件进行调试、减少元件磨损量来控制.外泄露分以下情况:一是管道接头处有松动或密封环损坏,应拧紧接头或更换密封环;二是元件的接合面处有外泄露,应增大预紧力或更换密封环;三是轴颈处元件壳体内压高于外压,应更换油封;四是动配合处出现外泄露,应及时更换油封,调节密封圈的预紧力;五是油箱油位计出现外漏油,应及时维修解决.     

浅析纳米发光材料应用前景

文章介绍了几种半导体纳米发光材料制备的发光二极管，如用氮化镓，碳化硅半导体纳米材料制备发光二极管的研究进展，并对全色固态平板显示的应用前景作了展望。     

重力灌装阀的改进

灌装阀是灌装机的核心部件之一,其中重力灌装阀最为常见。在生产中，重力灌装阀存在易喷料、瓶口密封圈易损伤等缺点。作者通过对重力灌装阀的工作原理与结构的研究分析，在原结构的基础上增加了限位保护套，对灌装阀杆进行了分段式设计，有效地延长了密封圈的使用寿命，减少了饮料产品的质量隐患。     

碳化硅陶瓷的应用现状

碳化硅陶瓷是一种极其重要的材料,它在工程领域和各行各业都有广泛的应用。文章简述了碳化硅陶瓷的发展过程,综述了其在陶瓷球、磨料磨具、碳化硅陶瓷基复合材料以及其他方面的应用。展望了碳化硅陶瓷在工业领域的应用前景以及高技术碳化硅陶瓷的重要应用,提出发展碳化硅陶瓷生产技术应有紧迫感。     

原料组分对碳化硅多孔陶瓷性能的影响．

本工作采用有机泡沫浸渍法制备了碳化硅质泡沫多孔陶瓷，研究了陶瓷原料组分对该泡沫多孔陶瓷的烧结性和力学性能的影响．结果表明，素坯（成份为碳化硅65wt％、氧化铝15wt％、粘土15wt％、石英砂2wt％、碳酸钙2wt％、硅粉1wt％）在1550℃烧结，保温2h，制备出的孔径为1～2mm的多孔陶瓷，开口孔孔隙率可达89．3％，抗弯强度0．88MPa，抗压强度1．8MPa，热震次数15，满足金属熔体过滤的要求．     

XKT2×3×1.5B-30提升机调绳油缸漏油问题的分析及解决方法

一、引言XKT2×3×1.5B-30型矿井提升机是我国八十年代的产品,该产品是在前苏联提升机的基础上设计制造出来的。此产品无论是从安全的可靠性,还是从工人操作强度等方面都优于前者,