SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究

基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型,该文建立了适合SiC MESFET的非线性模型,并利用符号定义器件(SDD)实现了在安捷伦ADS软件中嵌入,最终建立了SiC MESFET工艺的模型库。该非线性模型考虑了击穿特性、色散效应和自热效应等,可进行直流、散射S参数和谐波平衡等ADS软件中的仿真器。该模型在国内SiC MESFET工艺线上的验证结果表明模型具有较好的精度。     

宽禁带功率半导体器件技术

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。     

预氧化对多孔碳化硅陶瓷抗氧化及抗热震性的影响

考察了多孔碳化硅陶瓷的抗氧化性及抗热震性,探讨了不同制造工艺对多孔碳化硅陶瓷抗氧化性及抗热震性的影响。研究了SiC陶瓷在热处理过程中SiC颗粒表面氧化形成的SiO_2在不同热处理温度的状态变化及其对试样抗热震性的影响。     

浅析纳米发光材料应用前景

文章介绍了几种半导体纳米发光材料制备的发光二极管，如用氮化镓，碳化硅半导体纳米材料制备发光二极管的研究进展，并对全色固态平板显示的应用前景作了展望。     

碳化硅陶瓷的应用现状

碳化硅陶瓷是一种极其重要的材料,它在工程领域和各行各业都有广泛的应用。文章简述了碳化硅陶瓷的发展过程,综述了其在陶瓷球、磨料磨具、碳化硅陶瓷基复合材料以及其他方面的应用。展望了碳化硅陶瓷在工业领域的应用前景以及高技术碳化硅陶瓷的重要应用,提出发展碳化硅陶瓷生产技术应有紧迫感。     

原料组分对碳化硅多孔陶瓷性能的影响．

本工作采用有机泡沫浸渍法制备了碳化硅质泡沫多孔陶瓷，研究了陶瓷原料组分对该泡沫多孔陶瓷的烧结性和力学性能的影响．结果表明，素坯（成份为碳化硅65wt％、氧化铝15wt％、粘土15wt％、石英砂2wt％、碳酸钙2wt％、硅粉1wt％）在1550℃烧结，保温2h，制备出的孔径为1～2mm的多孔陶瓷，开口孔孔隙率可达89．3％，抗弯强度0．88MPa，抗压强度1．8MPa，热震次数15，满足金属熔体过滤的要求．     

冲压发动机C/SiC喷管承压失效研究

新型三维编织碳/碳化硅复合材料存在较强的各向异性,而各个方向的性能数据积累不足,复合材料的强度计算方法尚不完善,为了发现新型三维编织碳/碳化硅复合材料在冲压发动机喷管中应用可能遇到的问题,并找到相应地解决措施,开展了这种复合材料应用于冲压发动机喷管的承压强度计算和承压实验研究。对承压实验中出现的低压破坏情况进行了分析,分析了低压破裂的原因,提出了改进措施。分析结果表明:C/SiC喷管喉部密度较低,导致强度较低,承载能力下降,是首次强度验证实验过程中该局部破坏的原因；为提高喷管强度,需要通过其形状设计并控制沉积流场,保证其喉部的沉积密度达到1.9g/cm³以上。对改进后的喷管进行了实验验证,实验结果与计算结果基本一致,满足要求。因此,在实际应用中应对喷管喉部和纵向密度的分布进行工业CT无损检测,确保喷管密度的分布均匀。      

灌装机进料管的新型动态密封结构

饮料生产过程中，料液从进料管输入灌装机，进料管处于静止状态，灌装机处于旋转状态，因此进料管的动态密封技术尤为重要。目前灌装机均采用“V”型密封圈实现进料管的动态密封，存在着密封圈易老化、使用寿命较短、不易更换、价格昂贵等问题。通过对动态密封技术的研究，作者发明了一种新型的动态密封结构，采用弹簧结构，实现了进料管道的柔性动态连接，并将摩擦面转移到两只碳化硅密封圈处。经过实践表明，此项技术具有寿命长、易更换、造价低等优点。     

多热源SiC合成炉温度场分布规律及影响因素研究

利用自行设计的多热源碳化硅合成炉,研究非封闭及封闭合成炉炉表及其上方各点的温度场分布规律。结果表明：表面负荷为13W/cm^2,非封闭合成SiC,炉表最高温度约为600℃;封闭合成SiC,炉表最高温度为1061℃,距离炉表50cm高的集气罩最高温度为440℃;使用高挥发份或高固定碳含量的碳质原料、或者通过＂引射＂装置可以降低炉内各点及集气罩的温度。