Zn掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究

用密度泛函理论平面赝势方法,利用Materials Studio中的Castep软件包,对GaN及Zn对GaN的Ga位掺杂和N位掺杂进行了模拟计算,并对本征GaN和Zn掺杂GaN的能带结构和态密度、差分电荷密度分布及光学性质进行了分析.计算结果表明,Zn原子替换N原子能改善GaN晶体的电学性能,在光学方面,Zn掺杂GaN的动态介电函数表现出光学各向异性.     

GaN晶片的CMP加工工艺研究

研究了GaN晶片的化学机械抛光(CMP)工艺,分析了在CMP加工工艺过程中对GaN晶片表面质量所产生的影响。实验采用质量分数30%的H2O2溶液与铁经过Fenton化学反应20 min后作为抛光液,并分别利用2种不同磨粒粒度W5和W0.5对晶片表面抛光,对不同工艺参数加工后的晶片表面进行测试分析,并推测加工过程中晶片表面可能发生的化学反应。     

晶体管超声雾化器的注意事项、常见故障及检修

目前，用于医疗上的超声雾化器，是临床不可缺少的常规医疗器械，是呼吸道给药的很好方式。由于临床使用频繁，故障率也较高，下面就一些注意事项、故障现象及检修方法做以下讨论。     

台湾地区晶片系统商管学程探究

台湾地区晶片系统商管学程以培养具有晶片系统专业知识的商管类复合型人才为目标.学程的架构在课程设置和内容选择上均突出了"跨领域有机整合"与"服务于科技产业"的特色,可为高科技产业复合型紧缺人才的培养提供参考.     

具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型

基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据。