柔性管道中纳米流体的熵与辐射传热研究

采用压力梯度和外加均匀轴向电场驱动,探究纳米流体在平行板柔性纳米管道中的流动与传热特性.利用双电层模型,基于壁面低电势的假设,借助于Debye-Hückel线性化近似化简Poisson-Boltzmann(P-B)方程,得到电势场分布,进而在考虑粘性耗散,壁面滑移,焦耳热和热辐射效应情况下,求解修正的Navier-Stokes(N-S)动量方程和能量方程,获得了速度场和温度场的解析解,以及努塞尔数和熵,并对各物理量进行了图形化描述,分析了不同参数对流体流动和传热的影响.     

波导宽边辐射纵缝中的场分布

本文研究在平面缝阵中,馈电缝在波导中激励的高阶模场对相邻辐射纵缝中电场分布的影响,以便精确控制口径分布。用矩量法求解积分方程,导出了计算公式,并给出实例的计算结果和验证的方法。     

熔锥光纤定向耦合理论

提出了一种分析熔锥光纤定向耦合器及其衍生器件的新数理模型。通过把基模场的高斯理论发展到双包层光纤,并采用正态分布函数来描述耦合区的几何形态,较为完善清晰地反映了模场及边界的渐变特性。导出了本地标量场耦合系数的简洁解析式及其矢量修正式。具体器件的理论计算与实验相符较好。     

Tchebychev近似基本解的边界元法在结构边界条件识别中的应用

本文用边界元法的数值计算与动态测试相结合的方法来识别结构的边界条件。在导出边界积分方程时,文中采用了近似基本解技术,用Tchebychev多项式组成的级数来逼近解析的基本解。文中以薄板结构作为研究对象,用计算机仿真算例识别了矩形板的弹性支承刚度。仿真结果说明方法是有效和可靠的。     

电子回旋脉塞中Vlasov方程的高阶扰动解

本文导出了电子回旋脉塞中 Vlasov 方程高阶扰动解的解析式,指出了相应的非线性效应可以用来提高器件的辐射频率.1 本文采用的方法(1)用 TE_(mn)模作为扰动场,定义了一个计算中通用的未扰 Vlasov 算符;(2)采用引导     

高压半导体器件电場的二維数值分析

本文介绍了作者们为高压半导体器件的电场分布所编制的模拟程序,此程序是从泊松方程的积分形式出发的.对高压器件模拟程序中的溢出问题提出了一个解决办法.利用此程序对横向功率MOS结构的电场分布进行了模拟分析,得到了有益的结果.显然这一研究对高压器件和高压集成电路极为有益.     

求解各向异性基底鳍线的谱域方法

从各向异性晶体的双折射性质出发，对单轴晶片基底鳍线进行了严格的理论分析。导出了晶片基底中波矢量和电场偏振态与晶片主轴取向的一般关系，给出了三种可能轴向情况下ｏ波和ｅ波的波动方程和场解形式、场分量关系，由此确立了鳍线各区域中的谱域场结构表达式。     

高压功率器件特性的数值分析

在求解高压功率(HV/P)器件的泊松方程与连续性方程中,将与注入和掺杂有关的因子引入物理参数模型。针对HV/P器件分析程序特有的收敛与溢出问题,采用从低电压到高电压的分段解法和归一化的模拟方法。利用此程序对HV/P器件具有场限环和场板结构的特性进行了模拟。     

功率器件有 JTE 结构的电场的数值分析与模拟

本文用 damped-Newton(DN)法求解由一般非线性方程获得的Poisson 方程。研究了阻尼因子λ对其收敛性和求解效率的影响。利用此方法计算了横向表面掺杂为 Gauss 分布的器件的归一化电场与掺杂浓度和掺杂层宽度的关系。     

J波段硅DDR IMPATT器件

本文根据雪崩渡越时间器件理论和p-n结理论,论述了J波段Si p~+pnn~+型DDR IMPATT器体结构、工作参数的定量设计过程,其中特别给出了雪崩击穿方程的二级近似解析解。导出了器件26％的理论效率。概述了该器件采用常规工艺的制造流程。已经取得了2.7W输出功率、10.5％频率、成品率高、重复性好的结果,并就有关的理论和实验问题进行了分析讨论。     

气液两相流中气泡周围电场特性研究

针对均匀电场作用下的气液两相系统建立了数学模型，研究了单个及多个气泡附着于壁面、即将脱离和上升至两极板间的电场分布情况．结果表明，气泡周围电场的强弱及其分布的均匀性是影响气泡运动的重要因素．当大量气泡出现并有部分气泡脱离壁面时，电场对气泡的作用减弱，这为高热流密度下电场强化沸腾换热效果不再明显提供了理论依据。     

超薄板焊接熔池流场数值模拟

为了研究超薄板焊接质量差的问题,根据流体力学和传热学原理,建立超薄板焊接熔池的二维数值分析模型。 电弧热源模型采用高斯热源分布模型,模型考虑了超薄板固态金属的热传导、熔池与外部环境的对流辐射、熔池内部液 态金属质点的热传递、材料的热物理性能参数部分随温度变化等因素。采用FLUENT对超薄板微束等离子焊接熔池模 型进行求解,得出了熔池温度场、流场分布,并讨论了几种作用力对超薄板熔池流场的影响。研究结果表明表面张力是 超薄板熔池内部液态金属流动的主要驱动力     

压电智能板热效应分析模型的建立与仿真

通过有限元分析方法研究了压电智能板结构的热效应问题。采用了包含4个位移节点、2个电势节点和8个温度节点的有限元模型,其位移场按壳单元模型描述,电势场和温度场则按线性插值方法描述。基于虚功原理导出了热机电有限元方程,分析了温度场的改变对压电智能板结构动力特性、动力响应和输出电压的影响。通过一悬臂智能板结构的数值仿真,反映出温度变化造成的物理参数值改变对位移响应和输出电压具有一定的影响;温度变化产生的热载荷对动力响应和输出电压具有非常大的影响,表明了在智能板结构响应分析中考虑热因素的重要性。     

均匀电场对池沸腾换热的影响分析

对均匀高压电场作用下平板池沸腾换热的强化效果进行了试验研究,发现在较低过热度的范围内电场对换热有明显的强化效果.场强越高,相同过热度对应的换热系数越高.在相同的场强下,强化系数随着热流密度的增加而减少.结合试验结果对电场强化沸腾换热的机制进行了分析.在热流密度较小的范围内,对流换热占主导地位,电场强化对流换热使壁面过热度大大下降,导致相应过热度下汽泡的平衡半径提高,因此,抑制了核态沸腾.随着热流密度的提高,汽泡的产生和运动成为影响换热的主要因素,此时过热度的变化不是很大,在相同的过热度下,电场可以减小汽泡的临界半径,使汽泡增多.在汽泡准备区,电场会影响汽泡的核化;在汽泡成长区,电场会影响汽泡的长大、变形和脱离;在非沸腾区,电场会影响单相流体的自然对流换热.     

电磁场教学中电场的计算

电磁场的求解问题，主要归结为求电场和磁场的问题，其中关于电场的求解主要是求电场强度。不同电场，电场强度的计算方法也不同。以所学电磁场知识为基础，从静态场与动态场两种角度，归纳出几种求解电场强度的方法，并分别给出这些方法的适用范围。     

关于带电理想模型客体的几个问题

从带电理想模型的条件出发，分析了模型客体的场强分布特点、电位参考点的选择及电场的连续性．     

用稳恒电场模拟静电场的理论依据

通过对稳恒电场及稳恒电流场特性的分析，探讨了利用稳恒电场模拟静电场的理论依据；通过对特例和一般带电情况的讨论．指出成功实现模拟所具备的条件及其应用的局限性．     

比拟法在《传热学》教学中的作用

比拟法是人类认识客观世界的一种基本逻辑思维方法,它的产生和应用具有一定的客观基础.在传热学教学中通过电场与流场,流场与温度场,电阻与热阻,传动量与传热及传热与传质的具体比拟,表现了比拟法在传授新知识,发展学生的创造力等方面的作用,强调了选择比拟对象的重要性.     

高斯定理的理解与应用

文章论述了高斯定理源于库仑定律，依赖于场强叠加原理，场强通量与场线通量均遵从高斯定理；高斯面上的场强是其内外所考虑的电荷产生的合场强；构建体系高斯面，局部高斯面求解场强问题。     

平面闭合线电荷的电场分布

根据电场强度与电位的微分关系 ,求出了任意平面闭合线电荷的电场分布 ;并就椭圆形和圆形及正方形线电荷分布的场强进行了讨论