InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2／V.s,晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200～500Ω,乘积灵敏度达90～150V／A·T。     

CaTiSiO_5-TiO_2系统高频电容器瓷料的研究

介绍一种以ＣａＴｉＳｉＯ５ＴｉＯ２为主晶相的高频热稳定、高频热补偿电容器瓷料。通过调整ＣａＴｉＳｉＯ５及ＴｉＯ２的百分含量，选择ＷＯ３和ＺｎＯ为添加剂，合理控制烧成温度，以适当温度预烧等方法，可得到介电系数高于国家标准，温度系数组别多达１０，烧成温度范围达２０℃以上，工艺性好、重复性强、成本低的高频电容器瓷料。