氢化非晶硅膜的光学特性

用辉光放电法制备了氢化非晶硅(a-Si:H)膜,并对其光电导、光吸收特性进行了研究。结果表明,a-Si:H膜具有良好的光电导和光吸收性,是一种理想的廉价太阳能电池材料。     

氢化非晶硅膜的制备及其钝化机理

介绍了采用辉光放电(GD)法淀积用作钝化的氢化非晶硅(a-Si:H)膜,并将其应用于硅器件的表面钝化。结果表明,采用a-Si:H钝化,器件表面态密度显著下降,特性有较大改善。此外,对a-Si:H的钝化机理作了讨论。     

掺硼金刚石膜热敏电阻器的制备工艺及温度响应

介绍了一种帽状结构的掺硼金刚石膜热敏电阻器及其制备工艺。使用ＰＣＶＤ方法在Ｓｉ３Ｎ４或Ｓｉ基片上淀积掺硼金刚石膜，然后在金刚石膜上淀积Ｔｉ／Ａｕ薄膜以形成欧姆接触电极。结果获得了具有良好温度响应和欧姆接触的金刚石膜热敏电阻器。     

直流磁控濺射非晶硅薄膜

本文介绍利用自己改制的直流磁控溅射设备淀积非晶硅薄膜的一些结果。与普通溅射方法相比,本设备的优点是:溅射电压大大降低,而淀积速率提高很多。初步研究了所得薄膜的光学和电学性能。用透射法测量了吸收系数光谱曲线,并从(ahv)~(1/2)与hv关系图求得光学禁带宽度为1.45eV。另一方面,测量了直流电导率与温度的关系以及交流电导率与频率的关系。结果指出,在室温下该薄膜的电导主要由带尾局域态决定。     

ZnO薄膜乙醇气体传感器

ZnO 薄膜乙醇气体传感器由 ZnO 气敏薄膜元件和加热器组合而成。其 ZnO 薄膜采用直流磁控反应溅射在高铝瓷基片上淀积而成。膜内掺人定量的稀土元素催化剂做成层状结构以改善器件的灵敏度和选择性。该气敏元件封装于由Φ8mm 的四引出脚管座内,使用方便可靠,     

诗歌:哈萨克族传统哲学的主要表现形式

诗歌 是哈萨克 族传统哲 学的主 要表现形 式，这 是 因为： 一、游牧 经济 决 定了 游牧 文 化发 展 的方向；以 诗歌为主 要表现 形式的文 化环境 影响了哲 学家的人 文素质 、支配了哲 学家的 理性思维 方式。另 一方面 ，是因 为哈萨克 族长期的 心理积 淀和文化 积淀所 形成     

Sigmund热尖峰溅射模型的研究

对Singmund热尖峰溅射模型进行了修正.用平均能量淀积密度近似代替了Singmund热尖峰溅射模型中的表面能量淀积密度近似.并用TRIM87程序对Sb~+,Bi~+轰击银靶的能量淀积过程进行了模拟计算.将计算所得到的平均能量淀积密度代入修正后的Sig-mund热尖峰溅射模型中,所得到的起始热尖峰区尺寸与能量淀积理论相容.     

氮化物应力膜SOI SiGe异质结双极晶体管的频率特性研究

为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si_3N_4)应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si_3N_4,使其在基区引入单轴压应力,增强载流子的迁移率,来提高器件的截止频率f_T和最高振荡频率f_(max)。采用SILVA-CO软件进行仿真,重点研究不同埋氧化层厚度和氮化膜对器件频率特性的影响。结果表明:在埋氧化层厚度为190 nm,基区Ge组分为17%～30%的阶梯型分布且淀积Si_3N_4薄膜引入应力时,截止频率f_T约为638 GHz,最高振荡频率f_(max)约为795 GHz。与传统的SOI SiGe HBT相比,截止频率f_T提高了38 GHz,最高振荡频率f_(max)提高了44 GHz。     

气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响

用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20～80Pa)对薄膜折射率、消光系数、光学带隙以及氢含量的影响;用激光拉曼光谱研究了气体压强对a-Si:H薄膜微结构的影响,并与薄膜的光学性能进行了综合讨论。结果表明,随着辉光放电气体压强的增加,a-Si:H薄膜的光学带隙和氢含量都有不同程度的增大,但折射率和消光系数却逐步减小;与此同时,薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。     

不同掺Al~(3+)浓度的ZnO:Al薄膜性能研究

采用溶胶-凝胶法制备ZnO:Al(ZAO)薄膜,得到了不同掺Al3 浓度的ZAO薄膜;利用X射线衍射仪分析、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计及四探针法等仪器与方法对其性能进行了测试。通过分析比较,得出所制备的ZAO薄膜为多晶纤锌矿结构,薄膜表面平整、晶粒致密均匀;Al3 掺杂能提高其导电性能:低掺杂时,薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过80%,并伴有蓝移现象产生;高掺杂时,其透过率无明显增加,但蓝移现象加剧,最大蓝移量达340nm。     

工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响

Ａｌ原子含量约为５０％的Ｔａ／Ａｌ合金薄膜具有优良的电阻性能。使用直流共溅射的方法制作这种薄膜，靶极采用了Ａｌ面积为４５％的Ｔａ／Ａｌ复合靶。研究了工艺参数如溅射气压、溅射电压以及热处理条件等因素对该薄膜的性能影响。结果表明，这种Ｔａ／Ａｌ合金薄膜能用于制作功率稳定的电阻器或电阻网络。     

喷涂热分解法制备掺锑SnO_2电热膜的工艺及电学性能的研究

本文研究了热喷涂分解法制备Sb:SnO2电热膜的工艺及基体对电热膜电学性能的影响,并讨论了该膜的电阻温度系数的变化.实验表明:喷涂工艺对掺Sb的SnO2电热膜的电学性能有很大影响.     

YBCO薄膜不同位错的研究

研究了一系列不同Tc值的YBCO薄膜样品高分辨率的X射线衍射.计算了在平面中扭曲和在平面外倾斜的两种不同螺纹的位错,发现在平面中的螺旋位错的扭曲比感光底层正常倾斜对Tc的值更加敏感.在YBCO薄膜的Tc值随着不同伯格斯(Burgers)矢量对位错施加了不同的影响.在薄膜中的螺旋位错强烈地影响YBCO的性质.     

非晶Ge-S半导体薄膜的研制

我们用高温熔融和空气中碎火的方法制取了非晶 Ge-S 块状材料,又以该材料为蒸发源材料,用热蒸发方法制备非晶 Ge-S 薄膜。对不同配方比的薄膜进行了光、电性能测试并分析和讨论了测试结果,得出了光学禁带宽度与硫含量的关系。     

同多钼酸掺杂聚吡咯膜修饰微电极的电化学行为及其电催化性能

本文用电化学方法将同多钼酸催化剂固定在导电聚吡咯膜微电极上,从而制得了具有表面功能的同多钼酸掺杂的聚吡咯(IPMo/PPy)膜修饰微电极。该电极不仅保持了同多钼酸的电化学活性和电催化性能,而且在硫酸水溶液中进行电位扫描时具有良好的稳定性。在酸性水溶液中固定在PPy膜内的IPMo能催化还原ClO_3~-和BrO_3~-,并且对BrO_3~-的催化效应比对ClO_3~-的更强。     

镍膜热敏电阻的研究

介绍一种新型的温度传感器——镍膜热敏电阻。该传感器的优良特性已为人们所关注。本文着重探讨镍膜热敏电阻的制作工艺条件对其性能的影响。同时介绍了作者研制的镍膜热电阻的特性和主要技术指标。镍膜热敏电阻是一种很有开发前景的感温元件。     

掺杂剂对聚苯胺/二氧化钛复合薄膜氨敏特性的影响

室温条件下,采用平面叉指电极式器件,运用原位化学氧化聚合和静电力自组装相结合的方法分别制备了盐酸掺杂和对甲苯磺酸掺杂聚苯胺/纳米二氧化钛(PANI/TiO2)复合薄膜气体传感器,并通过电子扫描显微镜(SEM)对薄膜进行了分析表征,研究了其在常温下对NH3气的敏感特性。实验结果表明,盐酸掺杂PANI/TiO2复合薄膜较对甲苯磺酸掺杂PANI/TiO2薄膜具有更好的灵敏度和响应恢复特性以及更好的稳定性。该研究有助于开发低功耗、高灵敏度的NH3气体传感器。     

铈离子掺杂的氧化钛纳米薄膜的结构及性能研究

纳米氧化钛镀膜玻璃具有优异的自清洁性能．可用于高层建筑、厨房和卫生间的装饰，本文利用溶胶-凝胶／浸渍-提拉法在玻璃基片上制备该纳米薄膜，采用原子力显微镜、傅立叶红外光谱仪和紫外-可见光光谱仪分析了凝胶组分变化、薄膜的表面形貌及光吸收性能．考查了铈离子掺杂的作用．试验表明，利用本方法可以在玻璃表面制备出高质量的纳米氧化钛薄膜．该薄膜具有较高的紫外吸收能力．而且随着涂层数和铈离子掺杂量的增加，紫外光吸收率增加．并且吸收光波长向可见光的方向移动，它有利于改善氧化钛薄膜的自清洁能力．     

二氧化钒薄膜制备方法和热致相变性质的研究进展

二氧化钒作为一种极具应用潜力的功能材料，在智能窗、抗激光辐射以及温控开关等许多领域发挥着非常重要的作用.本文阐述了二氧化钒的结构和相变特性，综述了二氧化钒薄膜制备工艺和热致相变性质的研究进展，最后对其应用前景进行展望.