稀土锰氧化物巨磁电阻效应研究的几个热点问题

超大磁阻(CMR)效应在高密度读出磁头、磁传感器、磁性随机存储器、磁致冷器件等方面有十分广阔的应用前景,受到人们的广泛关注。1993年,Helmolt等人在La2/3Ba1/3MnO3薄膜中观察到巨磁电阻效应的现象,引起了巨大反响。因为这结果将巨磁电阻效应的研究由金属、合金样品推至氧化物材料。这类材料还表现出诸如磁场或光诱导的绝缘体—金属相变、电荷有序、轨道有序以及相分离等十分丰富的物理内容,涉及到凝聚态物理的许多基本问题,因而立即成为国际国内研究的热点。十多年来,巨磁电阻效应的研究发展非常迅速,在晶体结构、磁性、输运机制、CMR效应机理等方面的研究有新的突破。本文较全面的介绍近五年来稀土锰氧化物巨磁电阻效应研究的几个热点问题。     

巨磁电阻效应研究的背景、发展动态及应用

巨磁电阻效应是磁电子学中最为活跃的领域,在基础理论研究和开发应用方面有着广泛前景。本文以从事的科研课题为背景、以国内外最新资料为佐证,对巨磁电阻效应研究的背景、发展动态及应用作一综述。     

钙钛矿锰氧化物A位掺杂研究进展

通过自发现巨磁电阻效应以来相关论文分析,总结了钙钛矿锰氧化物A位掺杂研究进展。主要包括这类物质的晶格结构、磁结构、双交换作用、公差因子效应及展现出的磁电性质等的研究进展。     

钙钛矿锰氧化物为母体构成二相复合相体低场磁电阻增强效应研究进展

综述了钙钛矿锰氧化物为母体构成二相复合相体低场磁电阻增强效应研究进展。全文分三部分，首先对低场磁电阻物理机制研究进行了综述，关于低场磁电阻物理机制，主要有两种理论：自旋极化隧穿和自旋极化散射。然后重点对钙钛矿氧化物分别与绝缘性氧化物、导电性氧化物，金属材料、磁性材料复合，获得低场磁电阻进展进行了论述，指出在钙钛矿锰氧化物母体中引入第二相物质形成复合相锰氧化物，是低场磁电阻增强的一种有效方法。最后提出研究中存在的问题。     

钙钛矿锰氧化物CMR效应温度敏感性研究

综述了国内外对钙钛矿锰氧化物研究进展;阐述了钙钛矿锰氧化物庞磁电阻效应温度敏感性研究现状及存在问题;从理论上分析实现钙钛矿锰氧化物庞磁电阻效应温度稳定性的途径。     

钙钛矿锰氧化物颗粒边界异质改性及低场磁电阻效应研究

综述了近几年钙钛矿锰氧化物磁电性质及CMR效应研究进展;综述了低场磁电阻研究现状,着重阐述了通过对钙钛矿锰氧化物的颗粒界面异质改性,实现低场磁电阻的方法,并提出利用A位稀土掺杂钙钛矿锰氧化物与金属颗粒复合实现低场磁电阻的设想。     

过度掺杂的La1-xAgxMnO3室温磁电阻研究

对采用溶胶凝胶法制备的不同Ag含量的La1-xAgxMnO3样品进行了研究.观察到Ag的名义含量x为0.3和0.65的样品表现出显著的室温磁电阻,在1.8 T的外场下磁电阻(外加磁场后的电阻和未加磁场的电阻差值比上未加磁场的电阻值)分别达到-23.0%和-22.7%,接近实际应用要求.对其成因进一步分析后发现,在两种不同Ag含量的样品中出现的显著室温磁电阻效应,其形成原因并不相同.     

基于功能梯度磁电复合材料的新型自偏置磁传感器

文章采用超磁致伸缩材料Terfenol-D(Tb0.37Dy0.63Fe2)、金属玻璃Metglas 2605SA1和压电材料PZT(Pb(Zr, Ti)O3)，设计了一种基于功能梯度磁电复合材料的新型自偏置磁传感器.利用Metglas和Terfenol-D之间的磁导率和矫顽力差异产生较强的磁化梯度，打破原有的平衡状态，导致内建磁场产生，进一步提高了零偏置磁场下磁致伸缩材料的压磁系数和磁电响应.实验结果表明：该传感器获得了较高的低频和高频零偏置磁电电压系数，分别达到9.14 mV/Oe和572 mV/Oe，并且谐振磁电电压输出和激励交变磁场之间呈线性变化关系.该自偏置磁传感器避免了传统磁电传感器对偏置磁场的依赖，具有制作简单、成本低、体积小，无需偏置磁场以及灵敏度高等优点.     

烧结温度对钙钛矿锰氧化物颗粒表面覆Ag的二相复合体系磁电阻的影响

用固相反应法采用不同烧结温度,制备二相复合体系。分别选用La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3和La0.5Sm0.2Sr0.3MnO3为母体,与金属Ag复合,研究不同烧结温度对二相复合体系磁电阻增强效应的影响。结果表明：不同烧结温度对二相复合体系磁电阻增强效应的影响很大,烧结温度低,磁电阻增强效应明显。在制作钙钛矿锰氧化物母体时,只要能形成单相结构。烧缱温度越低越好。烧结温度越低,颗粒越小。界面越多;Ag与钙钛矿锰氧化物母体复合时,烧结温度也不要高。只要能满足压片所需烧结温度,烧结温度低有利于钙钛矿锰氧化物颗粒表面覆Ag。     

透明激光全息护卡膜

透明激光全息护卡片膜是一种防伪薄膜,由印有全息图案的有机薄膜和由金属材料、以及高、低折射介质材料形成的光干涉效应图案保护层,以及粘结层构成。使用该薄膜贴附在或包装在被防物上,透过薄     

库仑磁作用定律的证明和局限性分析

根据安培分子电流学说,用密绕通电的细螺线管建立了理想点磁极的物理模型,获得了点磁极磁荷量与螺线管单位长磁矩的关系。通过对点磁极间相互作用的分析,证明了在理想条件下库仑磁作用定律只对直线型通电细螺线管才成立。效仿理想点磁极的物理模型,对实际磁针建立了分子电流细螺管的物理模型,并分析了库仑磁作用定律成立的条件。     

N-乙酰-L-半胱氨酸合成的新方法

报道了从N-乙酰-L-半胱氨酸的产业化角度,研究了产物合成的新方法.全面地研究了不同反应条件对产物外观和产率的影响,并应用IR、1H-NMR、熔点测定法等验证所得化合物.     

非晶CoZrNb磁性薄膜的研究

研究溅射条件和旋转磁场热处理对CoZrNb薄膜结构和性能的影响。结果表明 ,高的溅射功率和合适的氩气压强对非晶CoZrNb薄膜的形成有用 ,并且这些薄膜的矫顽力较小。旋转磁场热处理将改善薄膜的软磁性能 ,使得矫顽力进一步减小。对溅射条件对薄膜性能的影响机制和旋转磁场热处理改善薄膜性能的机制作了简要的讨论     

组合磁光光纤光栅的磁场敏感性分析

磁光光纤光栅是一种具有磁光效应的特殊光栅,可直接用于本征型的磁场传感或通过磁控的方式实现可调光子信息处理。该文采用分段均匀模型分析了几种组合磁光光纤Bragg光栅中左右旋圆偏振光的偏振相关损耗对磁场的敏感性,计算表明,均匀磁光光纤光栅的中心区段对磁场最为敏感。提出了一种比均匀磁光光栅更加灵敏的F-P型组合光栅传感结构,可更好地用于较弱磁场下偏振相关损耗的检测。     

PEDT导电聚合物气敏特性研究

采用化学聚合法制备了导电聚合物3,4-乙烯二氧噻吩膜,利用扫描电子显微镜和傅里叶变换红外光谱法对薄膜的光学成分及形貌进行了分析。采用叉指电极结构研制出了3,4-乙烯二氧噻吩薄膜气体传感器,研究了3,4-乙烯二氧噻吩薄膜气体传感器对有毒气体NO2和NH3的敏感特性以及其自身的温度特性。结果发现,3,4-乙烯二氧噻吩薄膜气体传感器对低浓度的NO2和NH3都具有很好的敏感特性。该文还对3,4-乙烯二氧噻吩薄膜对NO2和NH3两种气体的敏感机理进行了详细的讨论。     

基于动态SDM的中国区域碳排放强度空间效应研究

利用中国各省市区2005-2017年的数据,在碳排放强度测度和空间自相关检验的基础上,构建动态空间杜宾模型（SDM）研究中国区域碳排放强度的空间效应。研究表明：中国区域间的碳排放强度具有显著的空间效应。经济增长、技术投入对碳排放强度产生负向的空间直接效应,产业结构、能源强度、能源消费结构对碳排放强度产生正向的空间直接效应,并且长期效应大于短期效应;技术投入对碳排放强度产生负向的空间溢出效应,产业结构、能源强度对碳排放强度产生正向的空间溢出效应,且能源强度仅存在短期的空间溢出效应;经济增长、能源消费结构对碳排放强度的空间溢出效应不显著。     

УBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体V—H测量中的电压台阶效应

在液氮温区首次观测到由外加静磁场引起的电压台阶与滞后效应,用颗粒和弱连接有效钉扎模型对其进行了分析。分析表明,这是一种类似I—V特性中具有回滞的直流约瑟夫森效应的新现象,与颗粒和弱连接对磁通流动产生的不同钉扎与陷获有关。     

PECVD氮化硅膜的制备及其红外光谱分析

用等离子（增强）化学气相淀积（PECVD）法在Si基底上制备氮化硅薄膜，通过红外吸收光谱研究分析了薄膜中的成分及键结构．     

气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响

用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20～80Pa)对薄膜折射率、消光系数、光学带隙以及氢含量的影响;用激光拉曼光谱研究了气体压强对a-Si:H薄膜微结构的影响,并与薄膜的光学性能进行了综合讨论。结果表明,随着辉光放电气体压强的增加,a-Si:H薄膜的光学带隙和氢含量都有不同程度的增大,但折射率和消光系数却逐步减小;与此同时,薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。