一种均匀电场的电荷分布

就图 1所示空腔内的均匀电场 ,以电荷密度 ρ分布的电荷分布范围有一定的任意性 ,但激发均匀电场的基本部分电荷沿球面按余弦规律或等效余弦规律分布是不变的     

匀速运动电荷场变换关系的一种推导方法

根据电荷不变性,从高斯定理出发,利用洛仑兹变换直接导出了匀速运动电荷的电场变换关系,由麦克斯韦方程组导出了磁场与电场变换关系。     

运动电荷的库仑定律与电场

在讨论库仑定律时，一般注重分析静态形式，没有分析运动电荷的库仑定律与电场，本文针对此问题就运动电荷的库仑定律及电场进行分析与讨论。     

均匀电介质板从平板电容器中抽出时的外力、电荷及电场强度分布

对平板电容器充电后 ,在切断电源或保持与电源连接的两种不同条件下 ,均匀电介质板从平板电容器中抽出过程中 ,作用的外力、极板上和介质表面电荷的分布、极板间的电场分布进行了分析讨论。     

平面闭合线电荷的电场分布

根据电场强度与电位的微分关系 ,求出了任意平面闭合线电荷的电场分布 ;并就椭圆形和圆形及正方形线电荷分布的场强进行了讨论     

圆环上均匀电荷产生的电场

通过圆环上线电荷微元的电场强度与空间任意位置的几何关系,得到圆环上均匀分布的电荷在空间的电场强度。利用Mathematic做了数值计算,并画出电场分布的曲线图。     

气液两相流中气泡周围电场特性研究

针对均匀电场作用下的气液两相系统建立了数学模型，研究了单个及多个气泡附着于壁面、即将脱离和上升至两极板间的电场分布情况．结果表明，气泡周围电场的强弱及其分布的均匀性是影响气泡运动的重要因素．当大量气泡出现并有部分气泡脱离壁面时，电场对气泡的作用减弱，这为高热流密度下电场强化沸腾换热效果不再明显提供了理论依据。     

同一元素形成不同电荷的离子时其离子半径变化规律的探讨

就同一元素形成不同电荷的离子时其离子半径的变化规律作了简要的探讨．分析了影响离子半径的因素，结果是：不管是阳离子还是阴离子；其半径均与离子的有效核电荷和离子所带的电荷成反比     

电场对沸腾汽泡影响的实验研究

为进一步探索电场强化沸腾换热的机理,利用高速摄像仪对沸腾汽泡在电场作用下的生长过程进行了可视化实验研究.实验观察到电场作用下汽泡生长的动态图像.研究结果表明,电场作用下汽泡沿场强方向伸长,随着场强的升高,汽泡的脱离长径比增大,汽泡脱离壁面时的椭球外形更加明显;随着场强的增大,汽泡的脱离体积减小.分析了汽泡行为的变化对电场强化沸腾换热的影响.     

均匀电场对池沸腾换热的影响分析

对均匀高压电场作用下平板池沸腾换热的强化效果进行了试验研究,发现在较低过热度的范围内电场对换热有明显的强化效果.场强越高,相同过热度对应的换热系数越高.在相同的场强下,强化系数随着热流密度的增加而减少.结合试验结果对电场强化沸腾换热的机制进行了分析.在热流密度较小的范围内,对流换热占主导地位,电场强化对流换热使壁面过热度大大下降,导致相应过热度下汽泡的平衡半径提高,因此,抑制了核态沸腾.随着热流密度的提高,汽泡的产生和运动成为影响换热的主要因素,此时过热度的变化不是很大,在相同的过热度下,电场可以减小汽泡的临界半径,使汽泡增多.在汽泡准备区,电场会影响汽泡的核化;在汽泡成长区,电场会影响汽泡的长大、变形和脱离;在非沸腾区,电场会影响单相流体的自然对流换热.     

共面电极电场的计算

基于真空衬底的两个共面导体电极电场为例,介绍了求解共面电极电场分布中分数次幂的积分的根的选择原理和方法,并数值计算了相应的电场分布。     

关于感生电场的讨论

本文讨论了感生电场教学中的一个普遍问题,进而加深了对感生电场和电磁感应定律的理解.     

电场和磁场的时空联系

一、问题的提出 我们知道电磁场的运动规律是由麦克斯韦方程组来描述的: ·D=ρ —(1) XE=-αB/αt —(2) ·B=0 —(3) XH=j αD/αt —(4) 其中②、④两式反映了变化的电场与变化的磁场之间的联系。由麦氏方程组可知:变化的磁场可以激发电场,变化的电场也可以激发磁场,电场和磁场由近及远、交替激发就形成了电磁波,这早已为许多实验所证实了。     

宽带集成光波导电场传感器

传统的电磁波接收装置是各种各样的天线,新型集成宽带集成光波导电场传感系统有激光器、保偏光纤、电场传感器、普通光纤、光探测器组成。电场传感器是整个系统的核心器件,它是一种利用光波导技     

具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型

基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据。     

芒刺电晕极场强分析与离子风测定

在建立芒刺尖到接地极板间电场分布模型的基础上,提出了在电场中悬挂小球测定离子风的方法。分别采用了滑石粉、石膏和塑料三种材料的小球对离子风进行测定。研究结果表明,在芒刺尖到接地极板间电场中部,场强为（2～4）kV／cm范围内,离子风速约为（2～6）m／s。     

胆固醇分子强电场效应的从头算理论研究

采用GAMESS程序中的从头计算方法并引入有限场计算,计算和讨论了细胞膜中的胆固醇分子在静息电位所产生的强电场作用下,分子的几何构型和电子结构的变化,并对电场为零时情况进行了比较。分析结果表明在强电场作用下,胆固醇分子的几何构型变化不大,但电子结构发生较大变化。该结果为处于细胞膜固有强电场作用下的生物分子的微观理论研究提供了有利证据。     

静电生物效应的理论探讨

本文从生物体的带电特性出发，对静电场生物效应的机理从微观上进行了较为详细的讨论，研究表明，果蔬保鲜的机理是控制其内酶的活性与臭氧对乙稀的分解作用；提高作物种子的活力则是激发其内的电场能。同时指出负离子电场适于保鲜而正离子电场则益于提高种子活力的生物效应。     

也谈理想平行板电容器充电过程的能量传输问题

通过对理想平行板电容器充电过程中内部电场与磁场的计算，得出内部电场与磁场不均匀的结论，从而较圆满地解释了充电过程中的能量传输问题。     

无限长偏心金属圆柱壳间电容和电场分布的研究

论述了利用保角变换法求解两无限长偏心金属圆柱壳的电容及金属圆柱壳间的电场分布的解析方法，并给出了相应的电场分布的解析函数表达式和电容计算式。