首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 562 毫秒
1.
采用固相反应法制备了系列样品La_(0.67-x)Gd_xSr_(0.33)CoO_3(x=0.00,0.05,0.10,0.20,0.30,0.40,0.50,0.60,0. 67)和La_(0.7-x)Gd_xSr_(0.3)MnO_3(x0.00,0.10,0.15,0.20,0.30,0.40,0.50,0.60,0.70)。通过磁化强度-温度(M-T)曲线,磁化强度随磁场变化(M-H)曲线,研究了Gd掺杂对La_(0.67)Sr_(0.33)CoO_3和La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3宏观磁性质和微观磁结构影响。结果发现它们的磁性质完全不同:La_(0.7-x)Gd_xSr_(0.3)MnO_3体系的磁化曲线随掺杂量增加,在低温下表现为铁磁到团簇再到反铁磁;La_(0.67-x)Gd_xSr_(0.33)CoO_3体系的磁化曲线在60K以下随温度进一步降低表现出快速上升的行为。这是由于Mn离子和Co离子具有不同的电子结构和自旋态。在La_(0.67-x)Gd_xSr_(0.33)CoO_3中是由于Gd次格子的顺磁性贡献引起的,并且Gd格子和Co格子之间的耦合很弱,甚至可以忽略;而在La_(0.7-x)Gd_xSr_(0.3)MnO_3中是由于Gd次格子的铁磁性贡献引起的,Gd~(3 )格子与Mn~(3 )/Mn~(4 )格子形成反铁磁排列,并且Gd格子与Mn格子之间的耦合很强。  相似文献   

2.
本文对国内外钙钛矿锰氧化物电荷有序体系中自旋玻璃行为的研究现状进行了分析,对通过B位掺杂和外加磁场来研究自旋玻璃行为的新方案提出了初步设想。  相似文献   

3.
研究了A位La,Dy替代对BZN基陶瓷结构和介电性能的影响.在替代量x≤0.2的范围内,La替代样品均保持单一的立方焦绿石结构;在x<0.15的范围内,Dy替代样品为单一的立方焦绿石相;当x=0.2时,结构中出现杂相.随着La、Dy替代量的增加,陶瓷样品的晶粒尺寸、密度和介电性能发生有规律的变化;低温介电弛豫峰的峰形逐渐宽化;La替代样品的峰值温度向低温方向移动,Dy替代样品的峰值温度向低温方向移动.与x为0.1、0.15和0.2相对应的La替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-95℃,-99℃,-104℃,Dy替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-96℃,-89℃,-85℃.  相似文献   

4.
自旋电子学指通过控制和利用电子自旋(而不是电荷)获得一系列新颖性能的研究领域。自旋电子器件已经成功地应用于计算机硬盘驱动器和磁性随机存储器,对IT行业的发展产生了深远的影响。这些应用都是基于自旋极化传输效应,即具有固定自旋取向的电子穿过磁性异质结所发生的相关效应。目前,在将微波和自旋极化传输联系起来的自旋器件中的自旋动力学研究,为研制尺寸远远小于微波波长的新型微波器件提供了巨大的潜能。在这篇综述中,首先简单地介绍了自旋器件的概念;接着研究了微波实验来研究自旋电子器件的微波辅助翻转和自旋泵浦现象。前者将能够开发出高密度的计算机硬盘,而后者,结合直接电子检测技术,将能够实现小型化的无源微波探测器。  相似文献   

5.
元素掺杂是影响合金性能的有效方法.通过稀土元素La掺杂,近等原子比NiTi合金的微结构发生变化,进而影响其力学性能.用实验的方法研究了用少量La元素替代Ti元素形成的Ni_(50)Ti_(50-x)La_x(x=0.1,0.3,0.5,0.7)三元合金的力学性能.结果表明:Ni_(50)Ti_(50-x)La_x合金的硬度、弹性模量、屈服强度和断后伸长率随La元素掺杂量的增加而减小,拉伸强度先增大后减小,在La元素掺杂量为0.3at%时达到最大值.断口形貌分析表明:合金断裂主要为解理断裂,随着La元素掺杂量的增加,合金的塑性降低.  相似文献   

6.
采用熔体快淬法制备成分为NdxFe94-xB6(x=9.5,10.5,11.5)的纳米复相Nd2Fe14B/α-Fe材料。研究了稀土Nd含量对该材料的微波磁导率和自然共振峰频率的影响。采用XRD、VSM、矢量网络分析仪等方法对材料相组成、微结构、静态磁性能及微波磁导率特性进行测试分析。结果表明:当Nd的原子百分含量由9.5%增加至11.5%,材料的自然共振峰频率由6.53GHz增加至15.91GHz,微波磁导率μmax′′由1.59(x=9.5)降至0.56(x=11.5)。  相似文献   

7.
通过对已活化的Ml1-xMmx(Ni3.55Co0.75Mn0.4Al0.3)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)合金进行30次大电流充放电循环并测试循环后的放电容量来研究Ml Mm比例及粘接剂对其充放电性能的影响.结果表明MlMm比例和及粘接剂对合金充放电性能有显著影响.按充放电制度300 mAh/g×1.2 h,放电截止电位为-0.60 V(vs.Hg/HgO)进行30个循环后,Ml0.7Mm0.3(Ni3.55Co0.75Mn0.4Al0.)对应的合金容量衰减最少,放电容量平台的平均值最高,其C1/Cmax值为72.98%(Cmax最大放电容量C1 30次循环后的放电容量),放电容量平台的平均值为80.55 mAh/g.使用PVA做粘接剂相比CMC做粘接剂,合金的高倍率充放电性能循环稳定性要好.  相似文献   

8.
分析了钙钛矿钴氧化物Nd_(0.85)Sr_(0.15)CoO_3样品的磁性偏置现象。采用标准的固相法制成了多晶样品。在加场降温的情况下,对Nd_(0.85)Sr_(0.15)CoO_3进行了M-H曲线的测试,发现样品存在偏置现象,而且研究发现,Nd_(0.85)Sr_(0.15)CoO_3样品的偏置现象随着外磁场温度升高而减小。结果表明:在Nd_(0.85)Sr_(0.15)CoO_3样品中,由于铁磁团簇和自旋玻璃层之间存在着界面耦合作用,从而导致了偏置现象的出现。  相似文献   

9.
借助电阻测量、X—ray衍射分析,本文探讨了CuZnAl(Mn)形状记忆合金母相时效变化机理。实验表明CuZnAl(Mn)形状记忆合金母相时效As-τ曲线呈复杂的变化;X—ray衍射分析母相有序度提高。本文提出母相时效发生了空位迁移和有序转变.两者联合作用控制着As—τ曲线的变化.  相似文献   

10.
采用传统固相法制备了新型(1-x)Bi0.5(Na0.8K0.2)0.5 TiO3-x(Bi0.1 La0.9)FeO3无铅压电陶瓷,利用XRD、SEM等测试技术表征了该陶瓷的晶体结构、表面形貌、压电和介电性能.研究结果表明,在所研究的组成范围内陶瓷材料均能形成纯的钙钛矿固溶体.压电性能随x的增加先增加后减少,在x=0.005时压电常数及机电耦合系数达到最大值(d33=149pC/N,kp=0.270).  相似文献   

11.
对采用溶胶凝胶法制备的不同Ag含量的La1-xAgxMnO3样品进行了研究.观察到Ag的名义含量x为0.3和0.65的样品表现出显著的室温磁电阻,在1.8 T的外场下磁电阻(外加磁场后的电阻和未加磁场的电阻差值比上未加磁场的电阻值)分别达到-23.0%和-22.7%,接近实际应用要求.对其成因进一步分析后发现,在两种不同Ag含量的样品中出现的显著室温磁电阻效应,其形成原因并不相同.  相似文献   

12.
刘琳琳 《南都学坛》2001,21(6):11-16
给出Δu的一个新的表示式  相似文献   

13.
用固相反应法采用不同烧结温度,制备二相复合体系。分别选用La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3和La0.5Sm0.2Sr0.3MnO3为母体,与金属Ag复合,研究不同烧结温度对二相复合体系磁电阻增强效应的影响。结果表明:不同烧结温度对二相复合体系磁电阻增强效应的影响很大,烧结温度低,磁电阻增强效应明显。在制作钙钛矿锰氧化物母体时,只要能形成单相结构。烧缱温度越低越好。烧结温度越低,颗粒越小。界面越多;Ag与钙钛矿锰氧化物母体复合时,烧结温度也不要高。只要能满足压片所需烧结温度,烧结温度低有利于钙钛矿锰氧化物颗粒表面覆Ag。  相似文献   

14.
用钌多氧化物作为均相CO加氢催化剂前体,在较低的温度和压力下进行釜式CO加氢反应,主要产物为低碳烷烃。实验结果表明,反应温度,时间,合成气比(H2/CO)和溶剂对CO转化率以及产物分布均产生影响。根据原位红外对反应的监测结果,提出了钌多氢化物均相CO加氢反应模式。  相似文献   

15.
利用离子簇模型,建立了四角伸长八面体中3d9体系超超精细参量的微扰公式;在理论上得到了轨道混合系数、未配对自旋密度、平均共价因子等参量的关系,并应用于K2PdX4(X=Cl,Br)中的四角[CuX4]2?中心,理论与实验比较符合。与文献[4]相比,该文在计算公式上有所简化,并且调节参量数目进一步地减少,因而具有较好的适用性。  相似文献   

16.
针对数据电缆的生产特点,研究数据电缆生产计划管理系统的开发。该系统支持数据电缆企业主生产计划管理、面向订单的主生产计划调整以及车间作业计划管理。实现了计划管理过程中的需求预测对象的产品分类及任务排序。应用表明,该系统能够有效地提高数据电缆企业生产计划管理水平。  相似文献   

17.
介绍了HolsteinPrimakoff 变换,并将其应用于具有自旋角动量耦合的体系,使体系的哈密顿量成为可对角化形式  相似文献   

18.
本文证明了平均自旋和磁物同向,提出了恢复镜象对称的两个方案,并对它们进行了分析比较,发现它们是根本对立的,从而对CP联合反演提出了异议。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号