基于超结结构的肖特基势垒二极管（英文）

在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面,选用成熟的单步微电子工艺,通过4次N型外延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析,设计传统肖特基二极管和超结肖特基二极管的电压支持层厚度一致,且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击穿电压为110 V,而超结肖特基二极管的反向击穿电压为229 V。表明采用超结结构作为功率半导体器件的电压支持层能够有效提高反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,并且当P柱区和N柱区内的电荷量一致时器件的击穿电压最高。     

提高雪崩击穿电压新技术──深阱终端结构

研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明，带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的９０％。同时，深阱终端结构在不减小散热面积的情况下，还大大减小了结面积，减小了漏电流，有助于改善器件的频率特性，提高器件的稳定性。     

CaCu3Ti4O12的制备及击穿电压研究

用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12样品,对其介电常数、电容、电阻及击穿电压特性进行了系统研究,结果表明:预烧温度950℃和1050℃烧结样品具有较高的转变温度(110～150K)和较高的介电常数(104);样品保温时间为6h时,电容值达到最大为59.2nF,电阻值最小为0.065 MQ;在5～20 MPa压力范围,样品的电容值与压力关系呈线性关系,在不同条件下制备的CaCu3Ti4O12,其直流电压与电流关系大致相同且击穿电压非常高,在同一电压下,电流与试样的厚度成反比,由此推断,CaCu3Ti4O12的直流电压与电流的关系,可能与材料的本身结构有关.     

陶瓷臭氧发生器放电特性分析

应用经典电磁学理论研究了陶瓷臭氧发生器放电的特点，得出击穿电压与频率及介质特性的关系；并分析了电子与离子在高频电场中的运动特点。     

突变平面結表面电場的近似公式

迄今为止,对于单边突变的平面结边缘上的表面电场,在文献中均采用圆柱坐标的对称解。尽管如此,它其实并非严格的解。本文发表了以有限元方法解此电场的计算机数值解结果。结果均以归一化的形式表出。在这个归一化的表述中,解答只决定于一个参量—ξ_i。它代表冶金结深对理想平面结耗尽区宽度之比值。利用计算机计算的结果,我们给出了0.01≤ξ_i≤0.2这一常用情形的经验公式。此外,证明了簿氧化层在通常情形下对解答无严重影响。     

CaCu_3Ti_4O_(12)的制备及击穿电压研究

用固相反应法制备了CaCu_3Ti_4O_(12)样品,对其介电常数、电容、电阻及击穿电压特性进行了系统研究.结果表明:预烧温度950℃和1 050℃烧结样品具有较高的转变温度(110～150K)和较高的介电常数(104);样品保温时间为6 h时,电容值达到最大为59.2 nF,电阻值最小为0.065 MΩ;在5～20 MPa压力范围,样品的电容值与压力关系呈线性关系.在不同条件下制备的CaCu_3Ti_4O_(12),其直流电压与电流关系大致相同且击穿电压非常高.在同一电压下,电流与试样的厚度成反比.由此推断,CaCu_3Ti_4O_(12)的直流电压与电流的关系,可能与材料的本身结构有关.     

橫电磁波传输室中的驻波问题研究

横电磁波传输室中的驻波问题已从测量中反映出来,它直接影响横电磁波传输室(TEMCell)的测量应用精度.本文用理论分析的方法,导出了横电磁波传输室的复阻抗、电压和电场与电压驻波比系数(VSWR)之间的定量关系.在导出该关系时,考虑了损耗的影响.     

整流滤波电压算法探讨

在一些文献中，采用以锯齿波代替电容滤波整流电路输出电压波形，近似计算输出电压的平均值，这种近似计算方法是错误的．因为采用锯齿波电压违背基本定律，且推导出的电压近似平均值和RLC关系表达式与部分实际关系截然相反．给出了另一种既遵守基本定律又符合实际输出电压平均值的近似分析方法，井以实际计算结果证明了该方法的正确性．     

平面闭合线电荷的电场分布

根据电场强度与电位的微分关系 ,求出了任意平面闭合线电荷的电场分布 ;并就椭圆形和圆形及正方形线电荷分布的场强进行了讨论     

新型CMOS全兼容高压二级管

该新型ＣＭＯＳ全兼容高压二级管采用标准ＣＭＯＳ工艺、实现新型耐压层结构的新型ＣＭＯＳ全兼容高压横向二极管,由于采用了新型表面耐压层结构,故能在最短表面距离内实现最高的击穿电压,从而性能大幅度提高,其主要电性能参数为：击穿电压为５５０Ｖ;达到同衬底下单边平行平面突变击穿电压的９０％以上：正向压降为１．２Ｖ（I=1A时）;最大电流为５Ａ,其主要性能参数达到国际领先水平。新型CMOS全兼容高压二级管@陈星弼@叶星宁@唐茂成@王新@苏秀娣@单成国     

1000VMOSFET用常规低压工艺的实现

采用常规低压集成电路工艺实现了耐压达１０００Ｖ的高压横向ＭＯＳＦＥＴ，详细介绍了该高压横向ＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、工艺技术及测试结果。文中从实验和分析的角度上首次探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅长度对该高压横向ＭＯＳＦＴ击穿电压的影响。     

对三相调压器中性点位移的探讨

本文探讨了三相调压器在实验中出现的中性点位移的问题．这对调压器的正确使用有着一定的实际意义。     

串联稳压器基准误差放大电路的设计

针对串联型稳压器,设计了一种应用于串联型稳压器具有自建基准的新型误差放大电路。该电路具有构思巧妙,结构优化,易于集成及较高的开环增益,共模抑制比及交流特性的优点。通过验证,实测数据与仿真结果基本一致。     

一类电力系统电压崩溃的控制

电力系统电压出现崩溃之前存在着混沌和分岔现象 ,如果对它们加以控制 ,则可防止电压崩溃 ,提高电压稳定性。应用连续变量线性反馈对一类由负荷无功功率变化引起的电压崩溃进行控制 ,仅用单个变量即可实现。数值分析表明 ,该方法简单易行 ,能够达到预期的目的     

防触电保护与接地装置的要求

针对我国目前的建筑状况,旧的建筑物比较多,且对旧的建筑内的用电安全还没有引起足够的重视,经常发生触电事故,也是由于我国对低压电气线路安全知识不够普及的情况下,撰写此文。本文以TN及TT系统的不同接地故障形式以及雷电引起的高电压阐述MEB对降低危险电压Uc的作用。     

应用情景检测的安全任务内电压调度算法

针对移动嵌入式实时系统的低功耗设计,提出一种改进的应用情景检测的安全任务内电压调度算法。该算法利用任务程序少数参数的值域定义情景并在任务处理过程中进行检测,因而在处理在线的情况下,可较为精确地预测后续处理的部分路径,优化地调度处理电压。通过所提出的情景检测点设置算法,在任务程序中找到检测参数情景最合适的点,给出算法的实现方法。通过仿真实验证明该算法能有效地降低任务处理能耗。     

УBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体V—H测量中的电压台阶效应

在液氮温区首次观测到由外加静磁场引起的电压台阶与滞后效应,用颗粒和弱连接有效钉扎模型对其进行了分析。分析表明,这是一种类似I—V特性中具有回滞的直流约瑟夫森效应的新现象,与颗粒和弱连接对磁通流动产生的不同钉扎与陷获有关。     

BUCK变换器中的电压尖峰问题

本文详细地分析了BUCK变换器中主功率管及续流二极管上电压尖峰的产生原因及过程,并在此基础上提出了独特的解决措施。     

小波变换在电压闪变信号检测中的应用

配电网中较大负载的炼钢电弧炉在运行过程中会对公用电网产生较大的冲击和干扰,本文基于小波变换具有良好的时频局部化特性,提出一种更为有效的电压闪变分析方法,利用小波变换的多分辨率分析方法,对电压闪变信号进行检波与分解,提取出电压波动信号的频率和幅值,从而得出反映电压闪变的参数.仿真实验证明小波变换是一种有效的电压闪变分析方法.     

多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响

根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,得到了多晶硅中电场及其电势的分布,计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移,并与数值模拟的结果进行了比较,表明其具有较好的准确性。