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铝是一种重要的战略金属 ,我国铝工业在产业结构、生产规模、经营方式等方面仍存在某些不足 ,本文针对这种状况 ,提出了发展我国铝业的一些措施 ,并分析了我国铝业向海外投资的可行性。 相似文献
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使用柠檬酸盐法成功制备出分散良好的颗粒状BNT系纳米粉体。经TEM和XRD分析,粉体的平均粒径约30 nm,其主晶相为Nd2Ti2O7,经1 300℃烧结成瓷后还出现了BaNd2Ti4O12相。此类材料具有良好的高频特性,用此类材料研制出的单片微波陶瓷电容器具有良好的微波特性。 相似文献
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荣昌陶器技艺是中国传统陶器技艺的重要组织部分,因其历史悠久、工艺精湛而久负盛名,与江苏宜兴陶、云南建水陶、广西钦州陶并称为中国四大名陶,荣昌又与广东佛山、江苏宜兴一起被誉为中国“三大陶都”。在千百年的传承和发展过程中,荣昌陶器为巴蜀地区人民的生产和生活曾做出过重要贡献。在非物质文化遗产保护热兴起的今天,重新梳理荣昌陶器技艺产生和发展的场境,发掘潜藏在陶器技艺背后的经济和文化动因,能够使我们在文化生态和生产条件发生巨大变化的今天更好地保护、传承和发展荣昌陶艺。 相似文献
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采用Si、Mg及Cu元素进行合金化处理,制备了几种不同力学性能的开孔泡沫铝,通过准静态压缩实验研究了合金化对泡沫铝压缩力学行为的影响。实验结果表明,采用Si、Mg及Cu元素合金化处理显著改变了泡沫铝的应力-应变行为。 相似文献
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稀土对材料强韧性的影响及细观机理探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对钝切口小试样在扫描电镜下的加载观察与分析,认为稀土Ce能较大幅度地提高Al-Mg-Si变形铝合金的起裂COD值。细观分析表明,与平面应变断裂情况不同,稀土不是通过影响粒子形态进而对裂纹产生屏蔽效应来提高材料的宏观断裂性能,而主要是强化了晶界,迫使裂纹转向晶内并在裂尖产生较大的塑性变形,消耗更多的能量。 相似文献
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明清青花瓷业发展、变化的一个主要特点是海洋性的成长,漳州窑的兴起是其中的典范.漳州窑的兴起是景德镇窑青花瓷业向闽粤沿海空间转移的一个直接成果,其青花瓷业的形成是模仿明代中后期以来景德镇青花瓷业技术的产物.漳州窑的兴起根植于以东南沿海为中心的环中国海海洋社会经济文化体系,以月港为中心的闽粤沿海海洋社会经济的繁盛和葡、西、荷等西方洋船的东渐,是漳州窑兴起的外在拉力. 相似文献
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本文针对壁厚不同的ZL101铝合金铸件,研究了合金组织中α(Al)和共晶Si的形貌、尺寸及分布状况,并对其力学性能进行了测试.试验结果表明,随着壁厚的减小,α(Al)晶粒不断细化,二次枝晶臂间距逐渐减小;共晶硅等效直径减小,且由长针片状变为细小颗粒状,分布更均匀;力学性能随壁厚的减小而提高. 相似文献
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提出了利用低熔点玻璃进行YAG投影管的YAG屏与玻璃锥体封接的思想:分析了该封接工艺中材料膨胀系数的匹配、浸润性以及再结晶等问题;简要介绍了所用低熔点玻璃的物化性质,以及包括低熔点左玻璃膏剂调制、涂覆和焙烧在内的具体工艺规范。结果证实该封接性能良好,实现了YAG投影管全玻结构的技术飞跃。 相似文献
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采用激光衍射式粒度仪、扫描电镜能谱分析和X射线衍射方法,对比分析了不同粒径的再生铝铝渣,比较了其物相与粒度分布之间的差异,就如何提高铝渣聚集效果进行了探讨,结果表明:Na3 AlF6在一定程度上有助于聚集提高铝渣颗粒,MgO不利于铝渣颗粒的聚集,应当避免或减少使用. 相似文献
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宽禁带功率半导体器件技术 总被引:4,自引:0,他引:4
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。 相似文献