新型CMOS全兼容高压二级管

该新型ＣＭＯＳ全兼容高压二级管采用标准ＣＭＯＳ工艺、实现新型耐压层结构的新型ＣＭＯＳ全兼容高压横向二极管,由于采用了新型表面耐压层结构,故能在最短表面距离内实现最高的击穿电压,从而性能大幅度提高,其主要电性能参数为：击穿电压为５５０Ｖ;达到同衬底下单边平行平面突变击穿电压的９０％以上：正向压降为１．２Ｖ（I=1A时）;最大电流为５Ａ,其主要性能参数达到国际领先水平。新型CMOS全兼容高压二级管@陈星弼@叶星宁@唐茂成@王新@苏秀娣@单成国     

扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压

采用以结深r_j及qN_Br_j~2/ε:为归一化因子的长度和电压(N_?为衬底杂质浓度,q、ε_?的意义如常),通过简单的计算公式及程序,算出了包括各种实用扩散结的平面、边、角的耗尽层厚度,结面上电场和最大电场与结电压的关系,击穿电压与结深的关系。为便于实用,给出了与扩散工艺条件有关的量作参考的曲线族。对边、角部分的击穿电压有时可高于平面部分的击穿电压的情况,进行了物理解释。     

一维不均匀媒质中的镜象法

本文探讨了在一个方向是不均匀的媒质中应用镜象法求解恒定电场问题的可能性。得到一个描述镜象电源的二变量二阶线性微分方程。对于均匀媒质的情形,方程是常系数的,结合边界条件可以推演出计算电场或电位分布的所有镜象。对于不均匀媒质的情形,方程不是常系数的,这时虽然原则上可以用镜象法,但所需求解的方程和由电流连续性(在导体的电流场问题中)或电位移通量连续性(在电介质的静电场问题中)给出的方程差不多同样复杂而难于计算。     

高压半导体器件电場的二維数值分析

本文介绍了作者们为高压半导体器件的电场分布所编制的模拟程序,此程序是从泊松方程的积分形式出发的.对高压器件模拟程序中的溢出问题提出了一个解决办法.利用此程序对横向功率MOS结构的电场分布进行了模拟分析,得到了有益的结果.显然这一研究对高压器件和高压集成电路极为有益.     

由半导体微电子技术引起的两次电子革命

本文简述了引起第一次电子革命的半导体集成电路的发展及将要引起第二次电子革命的半导体功率器件及功率集成电路的发展。在后一部分中介绍了作者对该领域的一些贡献     

硅-硅直接键合界面上SiO_2的非稳定性

对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5,以类球形小岛状均匀分布于键合界面上,平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表明,为了降低界面自由能,界面SiO2必然最大限度地减少其表面积,从而以类球形小岛分布于界面上,其平均半径至少大于自然氧化层的1.5倍。假定平衡界面因子为12时,同时考虑氧扩散引起的SiO2融解和界面自由能减小引起的成核长大效应,理论计算与实验结果相吻合。