基态SiC(X1Σ+)分子势能函数的研究

运用Gaussian 94程序,由从头计算方法计算了基态SiC(X1Σ+)分子的平衡结构和离解能,利用单点计算的结果,采用Murrell-Sor bie函数形式,拟合出了SiC分子的分析势能函数,并计算出SiC分子的光谱常数ωe,ωeχ e,Be,αe的值.     

汉字熵值计算及其科学意义

汉字的熵值计算是确定计算机汉字编码形式的前提和基础。汉字熵值计算是交叉学科性质的研究。字符的熵值计算需要借助信息论理论、概率理论和香农推导出的计算英文字母熵的公式。汉字编码的依据是“信道编码定理”。世界首次计算出汉字的熵值是在20世纪70年代中期,由中国学者冯志伟通过手工操作完成的。该研究具有重要的科学意义。为后来的多八位双字节汉字编码提供了语言学理据,为中国的计算机中文信息处理技术的飞速发展作出了重要贡献。     

变离心力场中等截面冷却通道的流量计算和实验研究

本文用数值计算得到的数据集，回归出在变离心力场下，等截面管流由于热阻力引起的变密度流流量减少公式，并用热平衡法在旋转试验台上测量了加热条件下通道内的加热量和平均流速．由实验数据集回归出的流量减少公式与数值计算结果相符．     

PH值的测定和计算的研究

简要地分析探讨了溶液的PH值无法精确计算的原因,并由实验总结出醋酸缓冲溶液的PH理论计算值大于其实验测定值。且随离子强度的增大而增大。     

用贫困指数测度安徽农村贫困线

新形势下贫困线的测定应该具有相对、动态、多维的性质。贫困指数可以由三个维度和一些测量指标构成的三级指标体系计算出。采用调查研究方式,在安徽全省的农村地区采集个体样本数据,采用结构方程模型高阶因子分析技术检验贫困指数的指标体系,并计算出权重。首先利用该体系计算出每个个案的贫困指数;然后利用相对贫困线确定的比例法求出临界贫困指数,再根据已有数据拟合出人均年收入与贫困指数的回归方程;最后通过该方程即可求出贫困线。用贫困指数方法侧度贫困线有独特的优势,但也需要注意使用条件。     

车灯线光源的计算

1、近似地将线光源看作位于焦点处的一个点光源。直射光总功率和反射光总功率之比为点光源的直射光线和反射光线所成立体角之比 ,由立体角公式计算出解为 0 6 94 4。2、建立坐标系 ,由几何知识可用点光源坐标和端口坐标求出光线方程 ,再与测试屏所在平面方程联立便可求出带有两个参数的边界亮点的坐标 ,用Maple编程可得出坐标值 ,并画出图形。3、思路与 2类似 ,由几何知识可求出反射光线方向矢量 ,从而得反射光线方程 ,再与测试民间所在平面方程联立 ,可得带有三个参数的反射光亮点坐标 ,用Maple编程可得亮点坐标 ,再利用Matlab画出亮点焦中的亮区图形。     

湿空气热物理性质计算方程及其修正系数

本文依据二元组合混合气体的性质和有关的计算方程，推导出了由空气温度、压力和相对湿度表达的湿空气热物理性质的计算方程。为便于工程计算，并将这些方程整理成了干空气的热物理性质乘以相应的修正系数。运用这些方程和修正系数进行以湿空气为工质的有关热质交换和流动计算，不但精度高，而且十分方便。     

填充等离子体介质筒慢波结构色散方程的研究

利用线性理论导出了注内外具有不同等离子体密度背景的介质筒慢波结构的色散方程，并对其进行了详细的计算和分析；由所得计算曲线可方便的确定出给定频率的此慢波结构的几何参数，为实际的工程设计提供了理论依据。     

多层墙体瞬时热负荷计算新模型

提出了一种计算通过建筑多层墙体的瞬时热负荷的新模型。在一定的频率范围内计算出墙体传热的理论频率响应,从理论频率响应得到墙体横向传热及内表面吸热的多项式s传递函数,并由拉氏逆变换和离散得到简单的递推公式。比较与验证的结果表明这种模型计算速度快、精度高、灵活性好、数值稳定。     

利用模匹配技术对突变开放腔的分析

在模匹配理论的基础上,推导并建立了单级突变的矩阵方程,分析得出了多级突变级联及渐变情况下的处理方法。通过编制的计算程序,计算出多模情况下多级突变结构模匹配系数级联矩阵,并由矩阵参数得到所需的腔体谐振频率等物理特性参量。     

引力场和静电场的相似性

从场的描述、相关定理、基本方程和动力学性质等方面进行了论述,形成对引力场和静电场的全面认识,有助于借鉴静电场的理论和方法解决引力场的问题。     

平面闭合线电荷的电场分布

根据电场强度与电位的微分关系 ,求出了任意平面闭合线电荷的电场分布 ;并就椭圆形和圆形及正方形线电荷分布的场强进行了讨论     

运动电荷的库仑定律与电场

在讨论库仑定律时，一般注重分析静态形式，没有分析运动电荷的库仑定律与电场，本文针对此问题就运动电荷的库仑定律及电场进行分析与讨论。     

电偶极辐射电场的分析及演示

利用数学软件Maple,用最一般的方法推导出电偶极辐射的电场线方程,分区分时准确地作出图形并加以讨论,最后将辐射过程演示导出为GIF动画。     

介质中点电荷所受电场力的研究

研究了一般情况下，在无限均匀介质中，点电荷所受到的电场力与在真空中一样，满足库仑定律，并研究了介质中点电荷所受电场力满足库仑定律的充要条件．     

电磁场教学中电场的计算

电磁场的求解问题，主要归结为求电场和磁场的问题，其中关于电场的求解主要是求电场强度。不同电场，电场强度的计算方法也不同。以所学电磁场知识为基础，从静态场与动态场两种角度，归纳出几种求解电场强度的方法，并分别给出这些方法的适用范围。     

用稳恒电场模拟静电场的理论依据

通过对稳恒电场及稳恒电流场特性的分析，探讨了利用稳恒电场模拟静电场的理论依据；通过对特例和一般带电情况的讨论．指出成功实现模拟所具备的条件及其应用的局限性．     

具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型

基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据。     

均匀带电圆环电场的普遍分布

利用静电场中的高斯定律和闭合环路定律比较巧妙地导出了均匀带电圆环电场的普遍分布式 ,并加以了适当推广     

弱电场下电子极化子与空穴极化子的散射

基于紧束缚的Su-Schrieffer-Heeger (SSH)模型,利用非绝热的动力学方法,研究了弱电场下基态非简并聚合物中电子极化子和空穴极化子的散射.研究发现,体系最终形成一个中性激子态,由于电场力与电声耦合之间的竞争,形成的激子呈现了一个正反极化振荡的现象,体系最终达到一个动态的平衡.